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利用不同的元素掺杂可以对钡铁氧体的居里温度、矫顽力、磁导率进行控制，从而提高钡铁氧体性能。
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匀称的20面体结构转变与团簇的初始结构、原子数和组元分布密切相关。而且，这种相变可以通过不同物性组元的添加、含量和原子分布的改变进行控制。
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Controlled Synthesis and Doping of Single-Crystalline 6H-SiC Nanowire and Its Optic Properties
单晶6H-SiC纳米线的可控掺杂及光学特性
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论文首先研究了采用PECVD制备高品质a-Si薄膜的工艺，通过气相掺杂有效地调整了薄膜电阻率；
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通过改变掺杂量和选择合适的工艺条件可控制掺氟SnO2薄膜的方块电阻，其最小方块电阻值达10Ω/□。
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